[发明专利]一种连续高重频高压脉冲源有效
| 申请号： | 201210370092.3 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102882493A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 袁斌;祝平;彭天昊 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H03K3/72 | 分类号： | H03K3/72 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵继明 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种连续高重频高压脉冲源，包括FPGA控制模块和依次连接的高压储能模块、单向化脉冲模块、脉冲传输模块，所述的FPGA控制模块与单向化脉冲模块连接，所述的单向化脉冲模块包括依次连接的单向化能量分配子模块、MOSFET阵列和单向化钳位及脉冲合成子模块，所述的单向化能量分配子模块与高压储能模块连接，所述的单向化钳位及脉冲合成子模块与脉冲传输模块连接，所述的MOSFET阵列与FPGA控制模块连接。与现有技术相比，本发明通过MOSFET阵列分时有序地发出脉冲，并将脉冲进行合成，生成高重频高压脉冲，具有脉冲重复频率、电磁隔离好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 高重频 高压 脉冲 | ||
【主权项】：
一种连续高重频高压脉冲源，其特征在于，包括FPGA控制模块和依次连接的高压储能模块、单向化脉冲模块、脉冲传输模块，所述的FPGA控制模块与单向化脉冲模块连接，所述的单向化脉冲模块包括依次连接的单向化能量分配子模块、MOSFET阵列和单向化钳位及脉冲合成子模块，所述的单向化能量分配子模块与高压储能模块连接，所述的单向化钳位及脉冲合成子模块与脉冲传输模块连接，所述的MOSFET阵列与FPGA控制模块连接；高压储能模块为单向化脉冲模块提供高压电源，并通过单向化能量分配子模块将能量进行分配，FPGA控制模块控制MOSFET阵列分时有序地发出脉冲，单向化钳位及脉冲合成子模块将脉冲进行钳位及合成处理后，通过脉冲传输模块输出高重频高压脉冲。
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