[发明专利]过压保护电路无效
| 申请号： | 201210370656.3 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715676A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王晓娟;王纪云;周晓东 | 申请（专利权）人： | 郑州单点科技软件有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过压保护电路。该电路包括参考电压输入端和电压输出端，还包括差分放大器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、反相器、电感和电容；所述电压输出端连接至差分放大器的负极输入端，并通过电感连接至第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管的漏极连接至电压源，栅极连接至反相器的输出端；第二NMOS晶体管的源极接地，并通过电容连接至电压输出端；差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端，输出端连接至反相器的输入端和第二NMOS晶体管的栅极。本发明的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种过压保护电路，包括参考电压输入端（Vref）和电压输出端（Vout），其特征在于，还包括差分放大器（IC1）、第一NMOS晶体管（Q1）、第二NMOS晶体管（Q2）、反相器（F）、电感（L）和电容（C）；所述电压输出端（Vout）连接至差分放大器（IC1）的负极输入端，并通过电感（L）连接至第一NMOS晶体管（Q1）的源极和第二NMOS晶体管（Q2）的漏极；第一NMOS晶体管（Q1）的漏极连接至电压源（VDD），栅极连接至反相器（F）的输出端；第二NMOS晶体管（Q2）的源极接地（GND），并通过电容（C）连接至电压输出端（Vout）；差分放大器（IC1）的正极输入端连接至参考电压输入端（Vref），输出端连接至反相器（F）的输入端和第二NMOS晶体管（Q2）的栅极。
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