[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210370920.3 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035676A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎信也;亀山悟;坂根仁;伊藤成志 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/32 | 分类号： | H01L29/32;H01L29/739;H01L21/263;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体衬底，半导体衬底包括：n型漂移层；在漂移层的上表面侧上的p型主体层；以及在漂移层的下表面侧上的高杂质n层。高杂质n层包括作为掺杂剂的氢离子施主，并且高杂质n层具有比漂移层更高浓度的n型杂质。在漂移层的一部分和高杂质n层中形成包括作为寿命扼杀剂的晶体缺陷的寿命控制区域。施主峰值位置与缺陷峰值位置邻近或相同，施主峰值位置为在半导体衬底的深度方向上高杂质n层中氢离子施主浓度最高的位置，缺陷峰值位置为在半导体衬底的深度方向上寿命控制区域中晶体缺陷浓度最高的位置。在寿命控制区域的缺陷峰值位置中的晶体缺陷浓度为1×1012原子/立方厘米以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括：n型漂移层；在所述漂移层的上表面侧上的p型主体层；以及在所述漂移层的下表面侧上的高杂质n层，所述高杂质n层包括作为掺杂剂的氢离子施主，并且所述高杂质n层具有比所述漂移层更高浓度的n型杂质，其中在所述漂移层的一部分和所述高杂质n层中形成包括作为寿命扼杀剂的晶体缺陷的寿命控制区域，施主峰值位置与缺陷峰值位置邻近或相同，所述施主峰值位置为在所述半导体衬底的深度方向上所述高杂质n层中氢离子施主浓度最高的位置，所述缺陷峰值位置为在所述半导体衬底的深度方向上所述寿命控制区域中晶体缺陷浓度最高的位置，并且在所述寿命控制区域的所述缺陷峰值位置中的所述晶体缺陷浓度为1×1012原子/立方厘米以上。
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