[发明专利]集成图形阵列高压LED器件的制备方法有效
| 申请号： | 201210371058.8 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903813A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿悦;宋士惠;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（苏州）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/24 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法，包括如下工艺步骤：提供一衬底，衬底上依次形成有N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层；通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层隔离出至少两个以上的独立图形单元，其中各个图形单元呈三角形，每相邻图形单元之间相对并交错设置以构成四边形，多个相邻图形单元所构成的四边形呈阵列排布；将每个图形单元由金属线连结形成串联和/或并联，由此形成互联的多个LED。出于改善电流分布以提高器件发光效率的目的，本发明还于各单元的P型金属接触下方设置了电流阻挡层；另外，本发明还制备了绝缘材料覆盖于芯片表面以起到保护芯片和增加芯片光提取效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 图形 阵列 高压 led 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法,其特征在于,它包括如下工艺步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层；通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层隔离出至少两个以上的独立图形单元，其中每个图形单元呈三角形，所述的图形单元呈阵列分布并整体上构成四边形；将每个图形单元由导电材料连结形成串联和/或并联，由此形成互联的多个LED。
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