[发明专利]薄膜的形成方法和成膜装置

摘要

本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

主权项

一种薄膜的形成方法，其用于在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜，其特征在于，该薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向上述处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而在上述被处理体的表面上形成上述晶种膜；以及第2步骤，向上述处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。