[发明专利]一种气体回流预防装置

摘要

本发明公开了一种气体回流预防装置，设置在等离子体刻蚀设备的反应腔内，反应腔内设置有晶片基座，所述的气体回流预防装置套置在晶片基座外，其特点是，气体回流预防装置设为环状本体，环状本体上间隔设置多个气道，气道的上开口小于下开口；气道可垂直设置在环状本体中，也可以斜置在环状本体中与环状本体构成夹角。使用本发明气体回流预防装置的等离子体刻蚀设备实施博世工艺时，在两种气体切换时，能够防止前一种气体通过气道回流到反应腔上部空间与后一种气体混合，从而减短两种气体的切换间隔时间，减小博世工艺中形成的扇贝状侧墙，提高产品刻蚀质量，提高生产效率。

主权项

一种气体回流预防装置（1），套置在等离子体刻蚀设备的反应腔（9）内的晶片基座（2）外，其特征在于，所述的气体回流预防装置（1）设为环状本体（11），所述的环状本体（11）上间隔设置多个气道（12），在等离子刻蚀设备工作过程中环状本体（11）的上表面气压大于环状本体（11）的下表面气压。