[发明专利]一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法

摘要

本发明涉及太阳能电池片的加工，具体本发明公开了一种单晶硅太阳能电池片扩散偏磷酸片返工方法，即扩散时炉管内因进入水汽产生的偏磷酸滴落在电池片表面的清洗处理方法，具体步骤包括：（1）用质量浓度为0.8%—1.2%NaOH溶液在50℃-60℃的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内；（2）在HF清洗液中反应去除电池片表面的氧化层；（3）在HCl清洗液中反应去除电池片表面的金属杂质。经过该方法处理后的电池片进行重新扩散，刻蚀，二次清洗，镀膜，印刷，烧结后，电池片的转换效率可以达到正常电池片水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。

主权项

一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，该方法包含以下步骤：（1）用质量浓度为0.8%—1.2%的NaOH溶液，在50℃‑60℃的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内；（2）将步骤（1）处理后的电池片在体积浓度为10%‑15%的HF清洗液中反应180s—220s去除电池片表面的氧化层；（3）将步骤（2）处理后的电池片在体积浓度为10%‑15%的HCl清洗液中反应180s—220s，去除电池片表面的金属杂质。