[发明专利]氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210375144.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102891229A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 司朝;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法。该氮化物半导体材料发光二极管包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于n型接触层上；以及p型接触层，其材料为p型的氮化物半导体材料，形成于活性发光层上；其中，活性发光层为由至少两种不同的氮化物半导体材料构成的多周期量子阱结构，该多周期量子阱结构中至少部分量子阱层的氮化物半导体材料为p型掺杂。本发明可以改善氮化物半导体材料发光二极管有源区中空穴的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体材料 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体材料发光二极管，其特征在于，包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于所述衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于所述n型接触层上；以及p型接触层，其材料为p型的氮化物半导体材料，形成于所述活性发光层上；其中，所述活性发光层为由至少两种不同的氮化物半导体材料交叠沉积而成的多周期量子阱结构，该多周期量子阱结构中至少部分量子阱层的氮化物半导体材料为p型掺杂。
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