[发明专利]晶片加工方法有效
申请号: | 201210375276.9 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN103107136A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 小林贤史;赵金艳 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00;B23K26/36;B23K26/42 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片加工方法,不使用分割装置,沿形成有改性层的间隔道将晶片分割开,磨削被分割开的晶片的背面以除去改性层。晶片加工方法用于沿间隔道分割晶片,其包括:保护带粘贴工序,将保护带粘贴在晶片的表面;改性层形成工序,使用具有卡盘工作台的激光加工装置将晶片抽吸保持在保持面上,在晶片内部沿间隔道形成改性层,改性层的深度为从晶片表面起未达到器件的精加工厚度的深度;晶片分割工序,将卡盘工作台的抽吸保持解除,并一边对晶片在水平面内的移动进行限制一边对晶片作用空气压力,从而沿着间隔道将晶片分割为一个个器件;以及改性层除去工序,对晶片的背面进行磨削,将晶片形成为器件的精加工厚度而除去改性层。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片加工方法,所述晶片加工方法用于将晶片沿形成为格子状的间隔道分割开,所述晶片在表面由间隔道划分出的多个区域形成有器件,所述晶片加工方法的特征在于,所述晶片加工方法包括:保护带粘贴工序,在该保护带粘贴工序中,将保护带粘贴在晶片的表面;改性层形成工序,在该改性层形成工序中,使用具有卡盘工作台的激光加工装置,所述卡盘工作台具有用于保持晶片的保持面且构成为能够在保持面作用负压和空气压力,通过将晶片的保护带侧载置在所述卡盘工作台的所述保持面并在所述保持面作用负压,从而将晶片抽吸保持在所述保持面上,从晶片的背面侧沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的激光光线,在晶片内部沿间隔道形成改性层,所述改性层的深度为从晶片的表面起未达到器件的精加工厚度的深度;晶片分割工序,在该晶片分割工序中,将对实施了所述改性层形成工序的晶片进行抽吸保持的卡盘工作台所进行的抽吸保持解除,并且,一边对在所述保持面载置的晶片在水平面内的移动进行限制一边对晶片作用空气压力,从而沿着形成有改性层的间隔道将晶片分割为一个个器件;以及改性层除去工序,在该改性层除去工序中,对实施了所述晶片分割工序的晶片的背面进行磨削,将晶片形成为器件的精加工厚度,从而除去改性层。
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H01 基本电气元件
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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