[发明专利]集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，包括提供第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成第一导电类型外延层；在外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且体区之间形成有预定间隔区域；在每一体区形成多个槽栅，第二导电类型的接触区以及第一导电类型的源区；沉积并刻蚀层间介质层，使层间介质层覆盖槽栅及部分源区以形成接触孔；以及在接触孔上方沉积金属层，金属层与预定间隔区域的外延层形成肖特基二极管。本发明无需硅刻蚀直接在衬底表面形成肖特基二极管，可降低工艺复杂度。

主权项

1.一种集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一导电类型的外延层，所述外延层的多数载流子浓度低于所述半导体衬底的多数载流子浓度；在所述第一导电类型的外延层进行第二导电类型的掺杂剂的离子注入和扩散以形成多个第二导电类型的体区，且所述体区之间形成有预定间隔区域，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在每一所述第二导电类型的体区形成多个槽栅，第二导电类型的接触区以及第一导电类型的源区；沉积并刻蚀层间介质层，使所述层间介质层覆盖所述槽栅及部分所述第一导电类型的源区以形成接触孔；以及在所述接触孔上方沉积金属层，所述金属层与所述预定间隔区域的所述第一导电类型的外延层形成肖特基二极管；其中所述第一导电类型的源区包括第一源区和第二源区，所述第二源区为相邻槽栅共用的源区，相邻所述槽栅间的多个所述第一源区通过所述第二源区相连；所述层间介质层仅覆盖所述槽栅及部分所述第一源区。