[发明专利]一种检测在光辐射下离子井中载流子迁移距离的方法

摘要

本发明发明一种检测在光辐射下离子井中载流子迁移距离的方法，包括以下工艺，在晶圆表面设有多组N型井离子与P型井离子并通过金属铜将N型井离子连接与P型井离子，使用光强对每组N型井离子与P型井离子进行照射并通过电子显微镜观察，当发现其中一组中的金属铜发生氧化反应，这确定该组中N型井离子与P型井离子的间距为载流子的迁移距离。通过使用本发明一种检测在光辐射下离子井中载流子迁移距离的方法，与旧工艺流程对比，有效地通过电子显微镜观察每组不同距离的N型井离子与P型井离子上的金属铜线的变化，可以检测到强光条件下载流子的迁移距离，可以为器件整体性能的研究提供了很好的数据。

主权项

一种检测在光辐射下离子井中载流子迁移距离的方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，提供一晶圆，并在该晶圆的有源区内竖向形成多组N型井离子与P型井离子，且每组中所述N型井离子与P型井离子之间的距离由上至下依次增加；步骤二，在所述有源区上表面以及每组所述N型井离子与P型井离子上表面生长一层金属硅化物，接着对所生长的一层金属硅化物进行刻蚀，使每组所述N型井离子与P型井离子的正上方于所述金属硅化物内形成接触孔；步骤三，使用一金属铜穿过所述N型井离子上方的所述接触孔与P型井离子上方的接触孔，使所述N型井离子与所述P型井离子之间相连接；步骤四，将晶圆整体放入电子显微镜的腔体中，并在所述腔体内引入一根光纤，对所述腔体内的所述晶圆进行定点照射；步骤五，由电子显微镜对所述晶圆内每组所述N型井离子与P型井离子中的金属铜进行观察。