[发明专利]非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201210375872.7 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN102891191A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 周天微;曹权;左玉华;王启明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法,该非晶硅中间带电池包括:导电衬底;n型纳米线,形成于导电衬底上;非晶硅中间带层,形成于n型纳米线上;p型非晶硅层,形成于非晶硅中间带层上;透明导电薄膜层,形成于p型非晶硅层上。本发明中,通过利用纳米线材料具有高度取向性、占空比和比表面可控的特性,从而为光生载流子提供快捷通道,减少复合,提高光生载流子的收集效率。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 中间 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅中间带太阳能电池,其特征在于,包括:导电衬底;n型纳米线,形成于所述导电衬底上;非晶硅中间带层,形成于所述n型纳米线上;p型非晶硅层,形成于所述非晶硅中间带层上;透明导电薄膜层,形成于所述p型非晶硅层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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