[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210375884.X | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103715319A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张楠;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法。该方法先在衬底一表面制备选择性生长层；然后在所述衬底表面的非选择性生长层区选择性外延生长发光结构层，所述发光结构层呈倒梯形结构且至少包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；接着采用光刻技术、ICP技术或RIE技术刻蚀至N电极区域；制作透明导电层；制作P电极与N电极；在所述透明导电层上制备第一反射镜层，在衬底另一表面制备第二反射镜层；最后裂片完成独立发光二极管的制作。本发明采用外延选择性生长技术制作的发光二极管，能降低芯片对光线的全反射吸收，有利于光线从发光二极管内部射出，提高光在芯片侧壁的出光效率，同时利用双向反射镜提高了荧光粉的激发效率，进而提高芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，依次包括衬底；设置在所述衬底一表面的发光结构层，所述发光结构层呈倒梯形结构且至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的量子阱层、及位于量子阱层上的P型半导体层；位于所述N型半导体层上的N电极；依次位于P型半导体层上的透明导电层和P电极；结合于所述透明导电层表面的第一反射镜层；设置在所述衬底另一表面上的第二反射镜层。
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