[发明专利]抗干扰与过压、过流保护片式元件及其制造方法有效
申请号: | 201210376492.5 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102915816A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 张振勇;邓佩佳;林海 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01C1/16 | 分类号: | H01C1/16;H01C1/142;H01C7/12;H01C7/13;H01C17/30 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 526020 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种抗干扰与过压、过流保护片式元件及其制备方法。该抗干扰与过压、过流保护片式元件包括钛酸锶陶瓷基片、分别形成于钛酸锶陶瓷基片正表面与反表面的正面电极与背面电极、形成于钛酸锶陶瓷基片正表面的熔断体金属层、形成于熔断体金属层上的保护层及形成于钛酸锶陶瓷基片的四个侧面的端头电极。该抗干扰与过压、过流保护片式元件通过在钛酸锶陶瓷基片上设置熔断体金属层与电极来将多个分立元件所具有的功能集成在一个元件上,从而具有抗干扰与过压、过流保护功能,因此该抗干扰与过压、过流保护片式元件具有多功能、小型化的优点。 | ||
搜索关键词: | 抗干扰 保护 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种抗干扰与过压、过流保护片式元件,其特征在于,包括钛酸锶陶瓷基片、分别形成于所述钛酸锶陶瓷基片正表面与反表面的正面电极与背面电极、形成于所述钛酸锶陶瓷基片正表面的熔断体金属层、形成于所述熔断体金属层上的保护层及形成于所述钛酸锶陶瓷基片的四个侧面的端头电极,所述正面电极的数量至少为四个,分别为第一正面电极、第二正面电极、第三正面电极及第四正面电极,所述钛酸锶陶瓷基片的其中两个相对的侧面各设有至少两个端头电极,分别为第一端头电极与第二端头电极、第三端头电极与第四端头电极,钛酸锶陶瓷基片的另外两个侧面中至少一个侧面的端头电极与背面电极相连,所述熔断体金属层包括相互电绝缘的第一熔断体金属层与第二熔断体金属层,所述第一正面电极、第二正面电极、第三正面电极及第四正面电极分别与所述第一端头电极、第二端头电极、第三端头电极及第四端头电极相连,所述第一正面电极与第三正面电极通过第一熔断体金属层相连,第二正面电极与第四正面电极通过第二熔断体金属层相连。
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