[发明专利]图案化金属线路的制备方法有效
申请号: | 201210376515.2 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103219243A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 金云霞;肖斐 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C23C18/31;C23C18/18 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及电子制造领域,公开了一种图案化金属线路的制备方法。本发明中,提供一基底;利用配制的活化液和光刻或印刷技术,在基底上制备图案化多巴胺类基底表面;其中,在活化液中加入有多巴胺类物质;将图案化的基底置于金属镀液中,在基底表面裸露有多巴胺类物质的地方沉积一层金属;金属镀液中加入有还原剂。图案化金属线路为图案化导电薄膜或精细线路。如果待制备的图案化导电薄膜为单面图案化导电薄膜,则在基底上制备图案化多巴胺类基底表面的步骤中,在基底的一面涂上无法与金属反应的阻挡层后再在该基底的另一面制备图案化多巴胺类基底表面;或者,在将图案化的基底置于金属镀液中的步骤前,将基底的未图案化的一面涂上阻挡层。 | ||
搜索关键词: | 图案 金属 线路 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种图案化金属线路的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:提供一基底;利用配制的活化液和光刻或印刷技术,在所述基底上制备图案化多巴胺类基底表面;其中,在所述活化液中加入有多巴胺类物质;将所述图案化的基底置于金属镀液中,在所述基底表面裸露有多巴胺类物质的地方沉积一层金属;所述金属镀液中加入有还原剂;所述图案化金属线路为图案化导电薄膜或精细线路;其中,如果待制备的图案化导电薄膜为单面图案化导电薄膜,则在所述基底上制备图案化多巴胺类基底表面的步骤中,在所述基底的一面涂上无法与金属反应的阻挡层后再在该基底的另一面制备所述图案化多巴胺类基底表面;或者,在将所述图案化的基底置于金属镀液中的步骤前,将基底的未图案化的一面涂上所述阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造