[发明专利]硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法

摘要

本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。

主权项

一种硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1）提供一硅衬底，在所述硅衬底上沉积一层金属薄膜；2）将所述步骤1）中形成的结构放入HF溶液中进行化学催化腐蚀以形成硅纳米点阵；3）将所述步骤2）中形成的结构放入腐蚀溶液中一定时间以去除附着在该纳米点阵上的金属颗粒；4)利用热氧化工艺对所述硅纳米点阵以及硅纳米点阵所在的硅衬底表面进行氧化，以形成氧化硅纳米点阵、或者被氧化硅层包裹的硅纳米点阵；5）将所述步骤4）中形成的结构放入HF腐蚀溶液中一定时间对热氧化生成的氧化硅进行腐蚀，以形成硅基纳米阵列图形化衬底。