[发明专利]自限反应沉积设备及自限反应沉积方法无效
申请号: | 201210376946.9 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN103031538A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 竹中博也;平塚亮一;关根昌章;松尾拓治;本多秀利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种自限反应沉积设备及自限反应沉积方法。该自限反应沉积设备包括第一导向辊、第二导向辊、以及至少一个第一头部。第一导向辊在支撑通过辊对辊工艺输送的基材的第一表面的同时将基材的输送方向从第一方向变成不与第一方向平行的第二方向。第二导向辊在支撑基材的第一表面的同时将基材的输送方向从第二方向变成不与第二方向平行的第三方向。至少一个第一头部布置在第一导向辊与第二导向辊之间,面向与基材的第一表面相对的第二表面,并朝向第二表面排放用于自限反应沉积的原料气体。 | ||
搜索关键词: | 反应 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种自限反应沉积设备,包括:第一导向辊,所述第一导向辊构造为,在支撑通过辊对辊工艺输送的基材的第一表面的同时,将所述基材的输送方向从第一方向变成不与所述第一方向平行的第二方向;第二导向辊,所述第二导向辊构造成,在支撑所述基材的所述第一表面的同时,将所述基材的所述输送方向从所述第二方向变成不与所述第二方向平行的第三方向;以及至少一个第一头部,所述至少一个第一头部布置在所述第一导向辊与所述第二导向辊之间,面向所述基材的与所述第一表面相对的第二表面,并构造为朝向所述第二表面排放用于自限反应沉积的原料气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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