[发明专利]包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构有效
| 申请号： | 201210376998.6 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103030093B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | K.R.纳加卡;C.F.基梅尔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶晓勇,朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的名称是“包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构”。微电子装置结构包括增加的热耗散能力。该结构包括倒装芯片接合到衬底的三维（3D）集成芯片组件。芯片组件包括装置衬底，其包括放置在其上有源装置。盖层在物理上接合到装置衬底，以至少部分限定有源装置周围的气密密封。微电子装置结构提供通过其的多个热量耗散路径，以耗散在其中生成的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 增加 耗散 能力 集成 电子 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：三维（3D）集成芯片组件，所述芯片组件包括：装置衬底；MEMS继电器，包括放置在所述装置衬底上的一个或多个发热元件；盖层，在物理上接合到所述装置衬底；放置在所述MEMS继电器周围的密封环，所述密封环为玻璃料；以及气密密封，在所述MEMS继电器周围形成，所述气密密封至少部分由所述装置衬底和所述盖层来限定；衬底，其中所述三维（3D）集成芯片组件倒装芯片接合到所述衬底，其中，多个热量耗散路径通过所述三维（3D）集成芯片组件延伸，以耗散在其中生成的热量，并且所述热量耗散路径提供从所述MEMS继电器到其MEMS金属互连的连续热传导金属通路。
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