[发明专利]一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210377541.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102903747A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;李世胜;侯鹏翔;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/04;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及单壁碳纳米管领域，具体为一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道，以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源、漏电极。在适当温度下，金属氧化物可与单壁碳纳米管发生碳热反应，并选择性刻蚀高化学活性的金属性单壁碳纳米管，获得半导体性单壁碳纳米管。利用光刻技术在Si/SiO2基体上沉积金属膜，并预氧化得到金属氧化物膜。单壁碳纳米管薄膜中与金属氧化物接触的反应区仅留下半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道，而沟道以外未受影响的单壁碳纳米管作为源、漏电极。本发明无需沉积金属电极，可用于柔性器件，具有清洁、高效的特点，并有可能用于制造大规模全碳集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全单壁碳 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全单壁碳纳米管场效应晶体管，其特征在于：以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道，以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源电极或漏电极。
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