[发明专利]一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法有效
| 申请号： | 201210377609.1 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102874876A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈军;许卓;邓少芝;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;刘菁菁 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法。本发明不采用任何催化剂，直接将金属钨原料加热至一定温度并保温，通过通入N2、Ar等惰性气体，控制氧化环境中的氧气含量低于10％。保温结束后自然冷却或通保护气体降温，即可得到三氧化钨纳米片。通过采用定域制备的金属钨薄膜，本发明可以实现定域制备三氧化钨纳米片。本方法可以在较低温度下不使用任何催化剂，在各种衬底上制备出三氧化钨纳米片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 法制 氧化钨 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其制备步骤如下：1)清洗衬底;2)在衬底上镀金属钨薄膜;3)将步骤2得到的样品放入可以加热的腔室中，往腔室内通入N2，或惰性气体，或氧气与N2，或氧气与惰性气体的混合气体,使腔室内氧气浓度降低至小于10%，所述惰性气体优选Ar气；4)腔室内温度升高至400℃~800℃，并保温，在此过程中，需通入N2或者Ar气；5)不通气自然降温或通惰性气体降温，直至室温。
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