[发明专利]ZnxCd1-xS三元复合微米空心球的制备方法

摘要

ZnxCd1-xS三元复合微米空心球的制备方法，在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS和Zn粉末为原料放置于反应器中部，反应温度600-700°C；表面镀金的Si（100）片放置于出气口一端作为样品生长的衬底，反应温度200-350°C；在不需要任何模板、不需要分步合成，通过控制反应温度、衬底温度和氩气流速，可高选择性地合成出ZnxCd1-xS三元复合微米空心球。在ZnxCd1-xS三元复合微米空心球的制备工艺中，CdS和Zn粉末的摩尔比为1:2–2:1。本发明制备工艺简单、成本低、过程容易控制，环境友好、选择性高、重复性好。

主权项

ZnxCd1‑xS三元复合微米空心球的制备方法，在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS和Zn粉末为原料放置于反应器中部，CdS和Zn粉末处的温度600‑700°C；表面镀金的Si（100）片放置于反应器抽真空出气口一端作为样品生长的衬底，衬底温度200‑350°C；CdS和Zn粉末的摩尔比为1:2–2:1，在氩气载气，真空度5×10‑3‑5×10‑4帕，保温反应时间3–5小时。