[发明专利]分立栅存储器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种分立栅存储器件及其形成方法。分立栅存储器件的形成方法包括：提供衬底，衬底上形成控制栅结构，相邻两个控制栅结构之间的区域为擦除栅区，相邻两个控制栅结构与所述擦除栅区相对的一侧为字线区；所述控制栅结构周围形成第一侧墙；第一侧墙周围形成第二侧墙；第二侧墙周围形成牺牲侧墙；形成浮栅；去除所述牺牲侧墙，暴露出浮栅部分；形成隧穿介质层，在字线区形成字线，在擦除栅区形成擦除栅。本发明还提供一种分立栅存储器件。本发明的第一、第二侧墙增加了字线与控制栅、字线与浮栅、控制栅与擦除栅之间的隔离效果，提高了存储器件的编程效率、均匀性和擦除效率、均匀性，尤其减小字线与浮栅之间的漏电，以解决写入干扰问题。

主权项

一种分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层、第二介质层及控制栅层；刻蚀所述控制栅层和第二介质层形成控制栅结构，相邻两个控制栅结构之间的区域为擦除栅区，相邻两个控制栅结构与所述擦除栅区相对的一侧为字线区；在所述控制栅结构周围形成第一侧墙；形成第一侧墙后，去除位于字线区上的浮栅层；去除位于字线区上的浮栅层后，在第一侧墙周围形成第二侧墙；在所述第二侧墙周围形成牺牲侧墙；形成牺牲侧墙后，去除位于擦除栅区的浮栅层，形成浮栅；去除位于擦除栅区的所述牺牲侧墙，暴露出牺牲侧墙覆盖的浮栅部分；形成隧穿介质层，覆盖暴露出的浮栅部分、擦除栅区的衬底、相邻两控制栅结构之间的第二侧墙，所述隧穿介质层的厚度小于牺牲侧墙的厚度；在字线区形成字线，在擦除栅区形成擦除栅。