[发明专利]沟渠绝缘工艺有效
| 申请号： | 201210378608.9 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103681452A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林永发;张家豪 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟渠绝缘工艺。首先提供一基底，其上设有一垫层以及一硬掩膜层；于所述硬掩膜层上形成至少一开口、经由所述开口刻蚀基底，以形成一第一沟渠、于所述第一沟渠的侧壁上形成一侧壁子；经所述第一沟渠刻蚀基底，于所述第一沟渠下方形成一第二沟渠、进行一热氧化工艺，以利用所述侧壁子作为一保护层来氧化所述第二沟渠内的基底，直到第二沟渠被一氧化层填满、移除所述侧壁子以裸露出第一沟渠的侧壁；于裸露出来的所述第一沟渠侧壁上形成一衬层、以及进行一化学气相沉积工艺来沉积一介电层，以填满所述第一沟渠。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 绝缘 工艺 | ||
【主权项】：
一种沟渠绝缘工艺，其特征在于，包含：提供一基底，其上设有一垫层以及一硬掩膜层；于所述硬掩膜层形成至少一开口；经由所述开口刻蚀所述基底，以形成一第一沟渠；于所述第一沟渠的侧壁上形成一侧壁子；经所述第一沟渠刻蚀所述基底，以于所述第一沟渠下方形成一第二沟渠；进行一热氧化工艺，以利用所述侧壁子作为一保护层来氧化所述第二沟渠内的所述基底，直到所述第二沟渠被一氧化层填满；移除所述侧壁子，以裸露出所述第一沟渠的侧壁；于裸露出來的所述第一沟渠侧壁上形成一衬层；以及进行一化学气相沉积工艺来沉积一介电层，以填满所述第一沟渠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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