[发明专利]MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210378742.9 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715133A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曹国豪;蒲贤勇;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/528;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有源区和包围所述有源区的浅沟槽隔离结构；在所述有源区表面形成栅极结构，在所述浅沟槽隔离结构表面形成伪栅结构；在所述栅极结构两侧的有源区内形成源区和漏区；在所述源区表面、漏区表面、伪栅结构的至少部分顶部表面形成互连层，使得所述源区或漏区与伪栅结构电学连接。由于导电插塞不直接形成在所述源区、漏区的表面，使得源区、漏区暴露出的宽度可以较窄，而所述伪栅结构位于浅沟槽隔离结构表面，不占据额外的芯片面积，使得最终形成MOS晶体管所占的芯片面积较小，有利于提高芯片集成度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有源区和包围所述有源区的浅沟槽隔离结构；在所述有源区表面形成栅极结构，在所述浅沟槽隔离结构表面形成伪栅结构；在所述栅极结构两侧的有源区内形成源区和漏区；在所述源区表面、漏区表面、伪栅结构的至少部分顶部表面形成互连层，其中，所述源区表面的互连层和与源区相邻的伪栅结构顶部表面的互连层相连接，形成第一互连层；所述漏区表面的互连层和与漏区相邻的伪栅结构顶部表面的互连层相连接，形成第二互连层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210378742.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
