[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。使用倒梯形切割刀片，对n型半导体基板（1）执行切割工作，以形成将要成为第二侧壁（7）的沟槽。沟槽的底部与p型扩散层（4）相接触，p型扩散层（4）形成于n型半导体基板（1）的第一主平面（2）（正面）上，使得p型扩散层（4）未被切割。然后，在第二侧壁（7）中，形成了p型隔离层（9），p型隔离层（9）连接到p型集电极层（8）和p型扩散层（4）。因为p型扩散层（4）未被切割，所以用于支撑晶片的玻璃支撑基板以及昂贵的粘合剂都是不需要的，并且因此，形成p型扩散层（4）的成本很低。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体基板；第二导电类型第一区域，形成于半导体基板的第一主平面的表面上的外围部分中；第二导电类型阱区域，被第一区域包围着并且形成于半导体基板的第一主平面的表层上以便与第一区域隔离开；第一导电类型发射极区域，形成于阱区域的表层上；栅极电极，经由栅极绝缘膜而形成于阱区域上，阱区域被夹在发射极区域和半导体基板之间；夹层绝缘膜，其表面包括栅极电极的表面且被涂敷；发射极电极，形成于夹层绝缘膜上以便接触发射极区域和阱区域；钝化膜，形成于发射极电极、第一区域和半导体基板上；集电极层，形成于半导体基板的第二主平面的表层上；第二导电类型隔离层，形成于接触第一主平面和第二主平面的半导体基板的侧壁的表层上，以便接触第一区域和集电极层；以及集电极电极，形成于集电极层上，其中，半导体基板的侧壁是由第一侧壁与第二侧壁构成的，第一侧壁垂直地接触第一主平面并且接触第一区域，第二侧壁被连接到第一侧壁和第二主平面并且与第一侧壁形成90度或更大的角度。