[发明专利]一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法

摘要

本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成半绝缘多晶硅层：在半绝缘多晶硅层上刻蚀出沟槽；在刻蚀后的半绝缘多晶硅薄膜层上得到第二氧化层；刻蚀出一个贯穿至多晶硅衬底的窗口；形成顶层多晶硅层。本发明方法在实现了有源像素传感器中的部分耗尽（PD）型MOS管和全耗尽型（FD）型MOS管在同一SOI基底上制作，提高图像传感器热稳定性和抗辐射性能的同时，降低了工艺的复杂程度。

主权项

一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）通过热氧化生长法，在多晶硅衬底上形成第一氧化层（101）；（2）在第一氧化层上利用低压气相淀积，使SiH4与N2O和N2在650℃在第一氧化层上形成半绝缘多晶硅层（201）：（3）在半绝缘多晶硅层上涂光刻胶，用光刻技术，曝光刻蚀出沟槽；（4）在刻蚀后的半绝缘多晶硅层上利用低压气相淀积在500℃以下通过SiH4和O2反应得到第二氧化层（401）；（5）在第二氧化层上涂光刻胶，曝光刻蚀出一个贯穿至多晶硅衬底的窗口（302）；（6）利用选择外延生长，通过窗口在第二氧化层上形成顶层多晶硅层（401）。