[发明专利]形成不同高度的多个鳍部的方法

摘要

一种形成不同高度的多个鳍部的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层、和具有高度相同的第一初始鳍部和第二初始鳍部；形成第一保护层，所述第一保护层暴露出第二区域的绝缘层表面；以所述第一保护层为掩膜，刻蚀第二区域中部分厚度的绝缘层，使得第二初始鳍部比第一初始鳍部高出指定高度；随后，去除第一保护层，形成覆盖第一初始鳍部和第二初始鳍部的第二保护层；以第二保护层为掩膜，刻蚀所述绝缘层，并向暴露出的第一初始鳍部和第二初始鳍部内注入氧离子，然后退火，形成隔离层、第一鳍部以及第二鳍部，所述第二鳍部比第一鳍部高出所述指定高度。在同一晶圆上形成的鳍部的高度可以不同，以满足不同需要。

主权项

一种形成不同高度的多个鳍部的方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域的半导体衬底表面形成有第一初始鳍部，所述第二区域的半导体衬底表面形成有第二初始鳍部，所述半导体衬底表面还形成有绝缘层，所述第一初始鳍部和第二初始鳍部贯穿绝缘层厚度，且两者高度相同；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一初始鳍部和第一区域的绝缘层表面，但暴露出第二区域的绝缘层表面；以所述第一保护层为掩膜，刻蚀第二区域中部分厚度的绝缘层，使得第二初始鳍部比第一初始鳍部高出指定高度；刻蚀第二区域的绝缘层后，去除第一保护层，并形成覆盖所述第一初始鳍部和第二初始鳍部的第二保护层；以所述第二保护层为掩膜，刻蚀所述绝缘层，并以所述第二保护层为掩膜，向暴露出的第一初始鳍部和第二初始鳍部内注入氧离子；对注入了氧离子的第一初始鳍部、第二初始鳍部进行退火处理，形成隔离层、位于第一区域的隔离层表面的第一鳍部以及位于第二区域的隔离层表面的第二鳍部，所述第二鳍部比第一鳍部高出所述指定高度。