[发明专利]一种低压快速微弧氧化技术无效
| 申请号： | 201210380181.6 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102877104A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王平;程小伟;杨丹;李明;李早元;张春梅;郭小阳 | 申请（专利权）人： | 西南石油大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 成都市辅君专利代理有限公司 51120 | 代理人： | 杨海燕 |
| 地址： | 610500 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低压快速微弧氧化技术，采用恒流脉冲氧化电源，硅酸盐体系氧化液，对铝、镁、钛、锆、铌等阀金属进行微弧氧化。所述恒流脉冲氧化电源，峰值电流10A-500A连续可调，基值电流为10A-500A连续可调，频率为50Hz-100Hz连续可调，占空比为10%-20%连续可调，电压在0V-200V变化。所述硅酸盐体系氧化液，由去离子水、硅酸钠、调节剂、低压起弧剂、增强剂组成。本发明与普通微弧氧化技术相比，氧化电压降到200V以下，制备相同厚度陶瓷膜的时间缩短为原来的三分之一到八分之一，微弧氧化能耗基本不变。陶瓷膜疏松层厚度明显降低，硬度平均提高HV300左右，达到HV1000以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 快速 氧化 技术 | ||
【主权项】：
一种低压快速微弧氧化技术，其特征在于，采用恒流脉冲氧化电源，硅酸盐体系氧化液，对铝、镁、钛、锆、铌等阀金属进行微弧氧化。
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