[发明专利]一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计无效
| 申请号： | 201210380827.0 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102928620A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;李晓博 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/00 | 分类号： | G01P15/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，包括封装外壳、电路板及SOI压阻芯片，SOI压阻芯片与电路板用胶黏剂粘接在封装外壳凹槽底部，SOI压阻芯片与电路板之间通过引线相连，加速度计内部采用胶黏剂填充，加速度计采用全金属管壳封装，当加速度作用在梁膜结合的结构上时，SOI压阻芯片的十字梁与膜会产生变形，该变形导致压敏电阻阻值改变，通过惠斯通电桥，桥臂电阻阻值的改变会以电压的形式输出，从而完成从加速度到电信号的转变，该加速度计的量程为1×105g，解决了武器在侵彻混凝土、钢甲目标时高g值加速度测量问题，具有量程高、灵敏度高、过载能力强及功耗小的优点，能够满足武器弹药系统高过载侵彻过程中高g值加速度的测量需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结合 结构 加速度计 | ||
【主权项】：
一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，包括封装外壳（1）、电路板（2）及SOI压阻芯片（3），其特征在于：SOI压阻芯片（3）配置在电路板（2）中部的槽内，SOI压阻芯片（3）与电路板（2）之间通过第二引线（6）连接，SOI压阻芯片（3）与电路板（2）用胶黏剂粘接在封装外壳（1）上的第一凹槽（7）底部，电路板（2）上的第一引线（4）通过封装外壳（1）上的引线孔（5）引出，封装的加速度计内部采用胶黏剂填充，封装顶盖（9）焊接在封装外壳（1）的第二凹槽（8）中。
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