[发明专利]一种具有较窄划片槽的晶圆有效
| 申请号： | 201210382734.1 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931186A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆，其包括复数个晶片区域、复数个测试器件区域和间隔于每两个区域之间的划片槽，其中每个测试器件区域占用M个等效晶片面积，M为大于等于1的自然数，所述划片槽的宽度由机器划片控制精度决定。与现有技术相比，本发明在晶圆的布局中设计更窄的划片槽宽度，将一些本来放置晶片的区域放置测试器件，从而在晶片面积较小时，在相同面积的晶圆上制造更多的晶片，进而降低芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 划片 | ||
【主权项】：
一种晶圆，其特征在于，其包括复数个晶片区域、复数个测试器件区域和间隔于每两个区域之间的划片槽，其中每个测试器件区域占用M个等效晶片面积，M为大于等于1的自然数，所述划片槽的宽度由机器划片控制精度决定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
