[发明专利]钴肖特基二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种钴肖特基二极管的制备方法，包括步骤：在硅衬底中形成深N阱；采用湿法刻蚀工艺去除硅衬底表面的自然氧化层；采用溅射工艺硅衬底表面溅射金属钴；采用光刻刻蚀工艺将钴肖特基二极管的阳极区域外的金属钴去除；进行退火工艺形成钴硅化物并使钴硅化物和深N阱之间形成金半接触。本发明能降低钴肖特基二极管的漏电、改善钴肖特基二极管的BV特性。

主权项

一种钴肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底中形成深N阱；之后在所述硅衬底中形成浅沟槽隔离结构，在钴肖特基二极管的阴极区域的所述深N阱中形成N阱以及在该N阱中形成N+区，该N+区用于和所述钴肖特基二极管的阴极金属形成欧姆接触；步骤二、采用湿法刻蚀工艺去除所述硅衬底表面的自然氧化层从而使所述深N阱表面露出；步骤三、在湿法刻蚀工艺之后以及保证所述硅衬底表面未形成新的自然氧化层之前，采用溅射工艺在所述硅衬底表面溅射金属钴；步骤四、采用光刻刻蚀工艺将钴肖特基二极管的阳极区域外的所述金属钴去除，所述钴肖特基二极管的阳极区域内的所述金属钴保留；步骤五、进行退火工艺，使所述钴肖特基二极管的阳极区域内的所述金属钴和所述深N阱中的硅进行反应形成钴硅化物，所述钴硅化物和所述深N阱之间形成金属半导体接触。