[发明专利]一种形成接触孔的方法有效
| 申请号： | 201210382820.2 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730349A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成接触孔的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有接触孔刻蚀阻挡层、层间介电层、图案化的掩膜层；步骤S102：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以形成层间介电层的开口；步骤S103：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第一刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的部分接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第二刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的剩余部分的接触孔刻蚀阻挡层，以形成接触孔刻蚀阻挡层的开口；其中，所述第二刻蚀处理的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀处理的刻蚀选择比。所述方法提高了接触孔的刻蚀速率和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种形成接触孔的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有接触孔刻蚀阻挡层、层间介电层、图案化的掩膜层；步骤S102：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以形成层间介电层的开口；步骤S103：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第一刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的部分接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行第二刻蚀处理，去除掉要形成接触孔的位置的剩余部分的接触孔刻蚀阻挡层，以形成接触孔刻蚀阻挡层的开口，所述接触孔刻蚀阻挡层的开口与所述层间介电层的开口共同构成了所述接触孔；其中，所述第二刻蚀处理的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀处理的刻蚀选择比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
