[发明专利]一种锗基衬底的表面钝化方法无效
| 申请号： | 201210383308.X | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102881562A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄如;云全新;林猛;李敏;安霞;黎明;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片进行等离子体浴处理；4）淀积栅介质，进行后续工艺以制备MOS电容或器件。本发明利用等离子体浴的办法，使多键原子和锗表面原子悬挂键结合，而不生成含锗的界面层。从而既钝化了表面悬挂键从而降低界面态，又利用该多键原子与锗表面相邻的锗原子的多键连接，降低锗表面原子脱离锗衬底表面而扩散的几率，达到加固锗表面原子和有效抑制表面锗原子的外扩散效果；同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基衬底的表面钝化方法，其步骤包括：1）对锗衬底基片表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗衬底基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗衬底基片进行等离子浴处理；4）淀积栅介质；5）进行后续工艺以制备MOS电容或器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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