[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210383444.9 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050546A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 加地考男;吉浦康博;增冈史仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N－型漂移层（1）的下侧设置有N+型阴极层（3）。在N－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有第1短寿命层（4）。在N－型漂移层（1）与N+型阴极层（3）之间设置有第2短寿命层（5）。载流子在第1短寿命层（4）及第2短寿命层（5）中的寿命τ2短于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ2＜τ1)。在N+型阴极层（3）中的寿命τ3长于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ1＜τ3)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：N型漂移层；P型阳极层，其设置在所述N型漂移层上侧；N型阴极层，其设置在所述N型漂移层下侧；第1短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述P型阳极层之间；第2短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述N型阴极层之间；其特征在于，载流子在所述第1短寿命层及第2短寿命层中的寿命短于在所述N型漂移层中的寿命；在所述N型阴极层中的寿命长于在所述N型漂移层中的寿命。
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