[发明专利]一种SOI结构压力传感器无效
| 申请号： | 201210384004.5 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103728065A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 陕西杰创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710068 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种SOI结构压力传感器，包括单晶硅衬底，在单晶硅衬底上有一层氧化硅薄膜，在氧化硅薄膜上有一层单晶硅应变电阻层，在单晶硅应变电阻层上有两个电极，所述单晶硅衬底为P型单晶硅，本发明具有良好的高温特性，能够在高温下实现对压力信号的高精度测量，灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 结构 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种SOI结构压力传感器，其特征在于，包括单晶硅衬底（4），在单晶硅衬底（4）上有一层氧化硅薄膜（3），在氧化硅薄膜（3）上有一层单晶硅应变电阻层（2），在单晶硅应变电阻层（2）上有两个电极（1），所述单晶硅衬底（4）为P型单晶硅。
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