[发明专利]一种化学机械研磨方法及装置有效
| 申请号： | 201210384562.1 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103722486A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 唐强;李佩;汤露奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/005 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种化学机械研磨方法及装置，该方法和装置通过设置与研磨平台相连的抛光速率检测系统，实时监测晶片的当前抛光速率并与设定的目标抛光速率比较，根据比较结果向排气系统发送相应信号反馈，控制排气系统增大或减小排气管道内的气体压强，改变当前的抛光速率直到与目标抛光速率一致，从而保持化学机械研磨过程中抛光速率的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，提供晶片进行化学机械研磨，设定目标抛光速率，该方法还包括：在所述化学机械研磨过程中，实时监测当前抛光速率，将获得的当前抛光速率与所述目标抛光速率相比较，如果当前抛光速率大于目标抛光速率，则增大排气管道中的气体压强；如果当前抛光速率小于目标抛光速率，则减小排气管道中的气体压强。
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