[发明专利]提高窄通道设备的性能并减少其变化

摘要

本发明为提高窄通道设备的性能并减少其变化。本发明的实施方式提供了形成诸如窄通道晶体管的晶体管的方法。该方法包括在衬底中创建晶体管区域；由在衬底中形成的一个或多个浅沟槽隔离（STI）区域将该晶体管区域与所述衬底的剩余部分隔开，以便包括通道区域、源极区域和漏极区域；STI区域具有比衬底的晶体管区域高的高度；而且通道区域具有位于其顶部的栅极堆叠；在晶体管区域之上的STI区域的侧壁处形成间隔物；在源极区域和漏极区域中创建凹口，所述间隔物保护在该间隔物下面沿STI区域的侧壁的衬底材料的至少一部分；及在所述凹口中外延生长晶体管的源极和漏极。

主权项

一种形成晶体管的方法，包括：在衬底中创建晶体管区域；由形成在所述衬底中的一个或多个浅沟槽隔离（STI）区域将所述晶体管区域与所述衬底的剩余部分分隔开，以包括通道区域、源极区域和漏极区域；所述STI区域具有比所述衬底的所述晶体管区域高的高度；并且所述通道区域具有位于其顶部的栅极堆叠；在所述晶体管区域之上在所述STI区域的侧壁处形成间隔物；在所述源极区域和所述漏极区域中创建凹口，所述间隔物保存了所述衬底的材料的沿所述STI区域的侧壁在所述间隔物下面的至少一部分；及在所述凹口中外延生长所述晶体管的源极和漏极。