[发明专利]提高窄通道设备的性能并减少其变化有效

专利信息
申请号: 201210385052.6 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN103050443A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: D·维希拉-加马奇;V·昂塔鲁斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/762
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 鲍进
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明为提高窄通道设备的性能并减少其变化。本发明的实施方式提供了形成诸如窄通道晶体管的晶体管的方法。该方法包括在衬底中创建晶体管区域;由在衬底中形成的一个或多个浅沟槽隔离(STI)区域将该晶体管区域与所述衬底的剩余部分隔开,以便包括通道区域、源极区域和漏极区域;STI区域具有比衬底的晶体管区域高的高度;而且通道区域具有位于其顶部的栅极堆叠;在晶体管区域之上的STI区域的侧壁处形成间隔物;在源极区域和漏极区域中创建凹口,所述间隔物保护在该间隔物下面沿STI区域的侧壁的衬底材料的至少一部分;及在所述凹口中外延生长晶体管的源极和漏极。
搜索关键词: 提高 通道 设备 性能 减少 变化
【主权项】:
一种形成晶体管的方法,包括:在衬底中创建晶体管区域;由形成在所述衬底中的一个或多个浅沟槽隔离(STI)区域将所述晶体管区域与所述衬底的剩余部分分隔开,以包括通道区域、源极区域和漏极区域;所述STI区域具有比所述衬底的所述晶体管区域高的高度;并且所述通道区域具有位于其顶部的栅极堆叠;在所述晶体管区域之上在所述STI区域的侧壁处形成间隔物;在所述源极区域和所述漏极区域中创建凹口,所述间隔物保存了所述衬底的材料的沿所述STI区域的侧壁在所述间隔物下面的至少一部分;及在所述凹口中外延生长所述晶体管的源极和漏极。
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