[发明专利]基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器及其制法和应用有效
| 申请号： | 201210385097.3 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102928391A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 穆丽璇;苗荣;师文生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;B81C1/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器及其制法和应用。本发明的对pH具有选择性荧光响应的基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器，是将基于化学刻蚀方法制备得到的经过面清洗处理的硅纳米线有序阵列与戊二醛反应得到的表面修饰有醛基的硅纳米线有序阵列，和有机小分子物质氨基荧光素进行反应，以对其表面进行共价键修饰，将得到的硅纳米线有序阵列进一步与醋酸硼氢化钠反应，从而得到表面修饰有作为对pH具有选择性荧光响应的氨基荧光素的本发明的pH荧光传感器。本发明的基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器可用于溶液中pH值的检测，并可以将其作为细胞生长的基底，实时、原位观察细胞生长环境中pH的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 有序 阵列 ph 荧光 传感器 及其 制法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器，其特征是：所述的pH荧光传感器是在硅纳米线有序阵列的表面修饰有作为对pH具有选择性荧光响应的氨基荧光素。
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