[发明专利]具有静电放电保护模块的半导体器件及其制造方法

摘要

提出了一种集成有静电放电保护模块和半导体晶体管的半导体器件及其制造方法。根据本发明的实施例，所述静电放电保护模块呈饼状，包括第一导电类型的中心掺杂区和围绕该中心掺杂区交替排布的多个第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区，所述中心掺杂区布满所述半导体晶体管的整个栅极金属焊盘部分的下方并与之耦接，所述半导体晶体管的源极金属耦接所述静电放电保护模块中最外围的第一导电类型掺杂区。该静电放电保护模块不仅可以保护所述半导体晶体管的栅氧化层不受静电放电的损害，而且具有较小的串联电阻及改善的电流均衡性。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电类型，包括有效单元区域和边缘区域；半导体晶体管，形成于所述半导体衬底的有效单元区域中，其中所述半导体晶体管包括漏区、栅区和源区；耦接所述栅区的栅极金属和耦接所述源区的源极金属；和静电放电保护模块，形成于所述半导体衬底的边缘区域上方，包括静电放电保护层和第一隔离层，其中所述第一隔离层位于所述半导体衬底和所述静电放电保护层之间，将所述静电放电保护层与所述半导体衬底隔离；其中，所述源极金属位于所述有效单元区域上方，所述栅极金属位于所述边缘区域上方，所述源极金属和所述栅极金属之间具有隔离间隙，其中所述栅极金属具有栅极金属焊盘部分和栅极金属走线部分；所述静电放电保护层呈饼状，包括第一导电类型的中心掺杂区和围绕该中心掺杂区交替排布的多个第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述中心掺杂区实质上布满整个所述栅极金属焊盘部分的下方；并且所述栅极金属焊盘部分耦接所述静电放电保护层的中心掺杂区，所述源极金属耦接所述静电放电保护层中最外围的第一导电类型掺杂区。