[发明专利]图像传感器的部分掩埋沟道传送装置有效
申请号: | 201210385836.9 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103050500A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 陈刚;胡兴忠;戴幸志;毛杜立;马诺·比库曼德拉;郑伟;钱胤;熊智斌;文森特·韦内齐亚;顾克强;霍华德·E·罗兹 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/374 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明案涉及图像传感器的部分掩埋沟道传送装置。本发明涉及包含光敏元件、浮动扩散区及传送装置的图像传感器像素的实施例。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述浮动扩散区安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区之间以选择性地将所述图像电荷从所述光敏元件传送到所述浮动扩散区。所述传送装置包含掩埋沟道装置,所述掩埋沟道装置包含安置于掩埋沟道掺杂剂区上方的掩埋沟道栅极。所述传送装置还包含表面沟道装置,所述表面沟道装置包含安置于表面沟道区上方的表面沟道栅极。所述表面沟道装置与所述掩埋沟道装置串联。所述表面沟道栅极具有与所述掩埋沟道栅极相反的极性。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 部分 掩埋 沟道 传送 装置 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素,其包括:光敏元件,其安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷;浮动扩散“FD”区,其安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷;及传送装置,其安置于所述光敏元件与所述FD区之间以选择性地将所述图像电荷从所述光敏元件传送到所述FD区,所述传送装置包含:掩埋沟道装置,其包含安置于掩埋沟道掺杂剂区上方的掩埋沟道栅极;及表面沟道装置,其与所述掩埋沟道装置串联,所述表面沟道装置包含安置于表面沟道区上方的表面沟道栅极,其中所述表面沟道栅极具有与所述掩埋沟道栅极相反的掺杂极性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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