[发明专利]高致密、高导电氧化锡锑陶瓷的制备方法

摘要

本发明是一种高致密、高导电氧化锡锑陶瓷的制备方法，其包括如下步骤：1）不同Sb掺杂含量的氧化锡锑纳米粉体制备：以Sb掺杂含量为20at.%的氧化锡锑和SnO2纳米粉体为原料，以球磨法制得Sb掺杂含量为1～20at.%的氧化锡锑纳米粉体；2）氧化锡锑纳米粉体的电场辅助低温快速致密化：将粉体装入模具中，利用电场辅助条件在较低温度下快速制得高致密氧化锡锑陶瓷；3）氧化锡锑陶瓷的低温均化处理：将所得陶瓷置于加热炉中，在空气中进行低温均化处理，可显著减低其电阻率，而不影响致密度。本发明制备的氧化锡锑陶瓷具有成本低、导电性好的特点，原料充足，工艺简单，致密化和均化处理的温度低，可大幅度降低能源消耗。

主权项

一种高致密、高导电氧化锡锑陶瓷的制备方法，其特征在于该方法以两种纳米粉体为原料，结合电场辅助条件在低温下制得所述氧化锡锑陶瓷，后期的低温均化处理应使其电阻率降低，且不影响致密度，该方法采用包括以下步骤的方法：（1）不同Sb掺杂含量的氧化锡锑纳米粉体的制备： 按Sb掺杂含量为1～20at.%的比例称取Sb掺杂含量为20at.%的氧化锡锑粉体和纯SnO2粉体，将混合纳米粉体、玛瑙球和无水乙醇按1:2:1的质量比加入到球磨罐中，经球磨机球磨后，烘干、研磨，得到所需氧化锡锑纳米粉体；（2）氧化锡锑纳米粉体的电场辅助低温快速致密化：将步骤（1）中所得氧化锡锑纳米粉体装入模具中，转移到电场辅助烧结系统中，在800～1200℃的温度下进行烧结，得到高致密的氧化锡锑陶瓷；（3）氧化锡锑陶瓷的低温均化处理：将步骤（2）中所得的氧化锡锑陶瓷置于加热炉中进行均化处理，均化处理温度为500～1000℃，时间为10～100小时；经过上述步骤，得到所述的高致密、高导电的氧化锡锑陶瓷。