[发明专利]一种新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法

摘要

本发明涉及芯片背面硅通孔结构的成形方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置二次干法刻蚀形成的硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。本发明的工艺方法形成的喇叭形的硅通孔（101），孔壁光滑度好，消除了孔壁波纹和侧向内凹缺陷；工艺兼容性好，有利于后续覆盖完整的绝缘层和孔内金属填充。

主权项

本发明涉及一种新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法，其工艺过程如下：步骤一：取带有芯片电极（2）的芯片本体（1）和载体（3），通过健合工艺，将载体（3）与芯片本体（1）的正面粘接； 步骤二：将上述结构上下翻转180°，通过减薄工艺，将芯片本体（1）的背面减薄到后续工艺需要的厚度；步骤三：在上述芯片本体（1）的背面通过涂胶或贴膜的方法形成胶层（4），再通过曝光、显影或激光开孔的方法形成胶层开口（401）；步骤四：通过干法刻蚀的方法，利用上述形成胶层开口（401）的胶层（4）作为掩模，在芯片本体（1）背面刻蚀出直孔状的硅通孔（101）；步骤五：通过腐蚀、灰化或刻蚀方法，将上述步骤中的胶层（4）去除；步骤六：再次通过干法刻蚀的方法，使步骤四中的直孔状硅通孔（101）形成喇叭形孔状的硅通孔（101）。