[发明专利]通孔优先铜互连制作方法有效
| 申请号： | 201210388834.5 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881645A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通孔优先铜互连制作方法，包括：第一步骤，用于在衬底硅片上沉积介质层，并在介质层上涂布第一光刻胶；第二步骤，用于完成曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成通孔结构；第三步骤，用于加热固化通孔结构，然后在第一光刻胶上涂布交联材料固化第一光刻胶中通孔结构图形，形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，随后去除交联材料；第四步骤，用于在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；第五步骤，用于完成曝光和显影在第二光刻胶膜中形成在通孔结构上的金属槽结构；第六步骤，用于完成刻蚀以便将光刻胶中的通孔和金属槽结构转移到介质层中；第七步骤，用于执行金属沉积和金属化学机械研磨以完成导线金属和通孔金属填充。 | ||
| 搜索关键词： | 优先 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种通孔优先铜互连制作方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在衬底硅片上沉积介质层，并在介质层上涂布第一光刻胶；第二步骤，用于完成曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成通孔结构；第三步骤，用于加热固化通孔结构，然后在第一光刻胶上涂布交联材料固化第一光刻胶中通孔结构图形，形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，随后去除交联材料；第四步骤，用于在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；第五步骤，用于完成曝光和显影在第二光刻胶膜中形成在通孔结构上的金属槽结构；第六步骤，用于完成刻蚀以便将光刻胶中的通孔和金属槽结构转移到介质层中；第七步骤，用于执行金属沉积和金属化学机械研磨以完成导线金属和通孔金属填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
