[发明专利]相移光掩模制作方法有效
申请号: | 201210388946.0 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102866574A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 毛智彪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/00;G03F7/40 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种相移光掩模制作方法。在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上,通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构;在第一光刻胶上涂布硅烷化材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构,加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜,通过加热蒸发去除多余的硅烷化材料;在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。 | ||
搜索关键词: | 相移 光掩模 制作方法 | ||
【主权项】:
一种相移光掩模制作方法,其特征在于包括:第一步骤:在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上,通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构;第二步骤:通过硅烷化材料固化第一光刻胶中第一版图图形结构,加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜;第三步骤:在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;第四步骤:进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;第五步骤:通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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