[发明专利]一种良率监测系统及其监测方法有效
申请号: | 201210388949.4 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102881619A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 郭贤权;许向辉;顾珍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种良率监测系统的监测方法,包括:步骤S1:在良率监测系统中预设制程偏移率界限s和缺陷数量界限n;步骤S2:信息采集装置采集在线产品之缺陷数量;步骤S3:缺陷数量比较装置将缺陷数量分别于缺陷数量界限n进行比较;步骤S4:数据运算系统将缺陷数量进行线性拟合,得到制程偏移率a;步骤S5:制程偏移率比较装置将制程偏移率a与制程偏移率界限s进行比较;步骤S6:信息反馈装置进行信息反馈。本发明所述良率监测系统及其监测方法可通过少数批次产品的缺陷数量波动及时发现制程机台的运行状况,进而减少大批量产品的不良,提高产品良率和产品可靠性;另一方面,本发明所述良率监控系统精确度高,且降低了设备使用者的工作量和出错率,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 监测 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种良率监测系统,其特征在于,所述良率监测系统包括:信息采集装置,所述信息采集装置用于采集所述良率监测系统所扫描的在线产品之缺陷数量,所述在线产品包括至少5批相邻的产品;缺陷数量比较装置,所述缺陷数量比较装置用于将所述扫描的在线产品之缺陷数量与所述良率监测系统预设的缺陷数量界限n进行比较;数据运算系统,所述数据运算系统将所述至少连续的5批在线产品的缺陷数量进行线性拟合,得到线性函数y=ax+b,a为所述制程偏移率;偏移率比较装置,所述偏移率比较装置用于将所述制程偏移率a与所述良率监测系统预设的制程偏移率界限s进行比较;信息反馈装置,所述信息反馈装置根据所述偏移率比较装置的比较结果,进行相应信息反馈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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