[发明专利]同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法有效
申请号: | 201210389785.7 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN102890910A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 王漪;王亮亮;韩德栋;蔡剑;王薇;耿友峰;张盛东;刘晓彦;康晋锋 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/32 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 张肖琪 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括:第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管;其中,第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管,第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像素驱动电路只在传统的2T1C电路的基础上引入一同步双栅结构和异步双栅结构,增加一预充电电压及一条反馈线,既有效增加了存储电容在非选通阶段对数据电压的保持效果,又有效地实现了驱动晶体管的阈值电压补偿,从而确保了显示器发光亮度的均匀性与稳定性。相比于大部分为实现数据保持和阈值补偿而采用的像素驱动电路,节省了晶体管、电容及控制线,大大简化了电路结构,从而提高了开口率和分辨率并降低了实现成本。 | ||
搜索关键词: | 异步 tft oled 像素 驱动 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种像素驱动电路包括:第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容CST,和有机发光二极管OLED;其中,所述第二晶体管T2为异步双栅多晶硅薄膜晶体管;所述存储电容的一端接地GND;所述第一晶体管T1的漏极接数据线DATA,栅极接扫描控制线SCAN,源极接存储电容的非接地端VG,所述第一晶体管T1为数据电压写入到所述第二晶体管T2的顶栅并存储于所述存储电容CST提供开关通路;所述第二晶体管T2的漏极接所述有机发光二极管OLED的阴极VD并通过OLED与电源线VDD相连,顶栅接所述存储电容的非接地端VG,源极接地,底栅接预充电电压VPRE通过反馈线Lf与漏极VD相连。
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