[发明专利]中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-Ⅵ晶体

摘要

本发明涉及一种中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-­Ⅵ晶体制备方法，以及基于该晶体构建的激光输出实验装置，属于全固态激光介质领域。本发明激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-­Ⅵ晶体制备方法是利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法或晶体双面镀掺杂物薄膜真空热扩散传输法制备得到，并利用二价铬与钴双掺杂离子重叠的吸收波长进行泵浦，同时实现两种离子受激激发，从而获得中红外宽谱可调谐激光输出。本发明的激光输出实验装置采用双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-­Ⅵ晶体作为激光输出介质，能实现1.6～4.2μm中红外宽谱可调谐的激光输出。

主权项

一种中红外宽谱可调谐激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ­Ⅵ晶体的制备方法，其特征在于利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法制备双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ­Ⅵ晶体，包括以下具体工艺步骤：（1）将Ⅱ­Ⅵ晶体薄圆片（4），置于由中间大、两端小的由三截石英管组成的石英安瓿（3）中间，取单质Co粉末（1）与单质Cr粉末（5）分别置于石英安瓿（3）的两端，且Co与Cr两种单质粉末各自与Ⅱ­Ⅵ晶体薄圆片之间的距离相等；（2）将步骤（1）所述三截石英管组成的石英安瓿（3）利用氢氧焰高温粘合在一起，并将其抽真空为10‑3～10‑5Pa后密封；（3）将步骤（2）密封好的石英安瓿（3）放置于由多组加热棒（2）加热的高温炉中，在温度为700～1300℃的条件下，热扩散1～15天，即得双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ­Ⅵ晶体激光增益介质样品；（4）最后将步骤（3）掺杂完成的二价铬与钴离子Ⅱ­Ⅵ晶体激光增益介质样品进行抛光、切割，即获得中红外宽谱可调谐激光增益介质双掺杂Cr2+,Co2+:Ⅱ­Ⅵ晶体。