[发明专利]一种石墨烯的制备方法无效
| 申请号： | 201210390882.8 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102874801A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;王刚;朱云;陈达;张苗;丁古巧;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯的制备方法，在氢气和惰性气氛下将半导体基底加热至810~910℃，保持该温度不变且通入碳源，采用化学气相沉积的方法在所述半导体基底表面进行反应，反应完毕后关闭碳源，并在氢气和惰性气氛下冷却至室温，完成在所述半导体基底表面制备石墨烯。相较于采用化学气相沉积在传统基底表面生长石墨烯而言，本发明直接在半导体材料表面合成制备石墨烯，简化了石墨烯制备工艺；同时，通过调节反应参数，可制备大尺寸、层数可控且无缺陷高质量石墨烯薄膜；另外，本发明与半导体工业相兼容，将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1）提供一半导体基底；2）在氢气和惰性气氛下，将所述半导体基底加热至810~910℃；3）保持步骤2）中温度不变，在氢气和惰性气氛下向步骤2）的反应体系中通入碳源，采用化学气相沉积的方法在所述步骤2）处理完毕的半导体基底表面进行反应；4）反应完毕后关闭所述碳源，并在氢气和惰性气氛下冷却至室温，完成在所述半导体基底表面制备石墨烯。
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