[发明专利]一种生长氮化镓系薄膜的复合衬底及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201210393338.9 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779449A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 江苏汉莱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;H01S5/323;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长氮化镓系半导体薄膜的复合衬底及其制备方法和其应用，本方法通过在MOCVD磊晶生长氮化镓系薄膜前对传统的磊晶衬底即本发明所述的衬底，进行溅射镀膜处理，形成与氮化镓系薄膜更为匹配的复合衬底材料，用于生长氮化镓薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 氮化 薄膜 复合 衬底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种生长氮化镓系半导体薄膜的复合衬底，其特征在于包括衬底及两层AlN, 两层AlN分别位于衬底上下表面。
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