[发明专利]承载板的制作方法无效
申请号: | 201210393732.2 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103779233A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 周鄂东 | 申请(专利权)人: | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 066000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种承载板的制作方法,包括步骤:提供第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔;压合第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔成为一个整体;电镀形成多个第一电性接触垫和第二电性接触垫;压合第一介电层及第一导电层及压合第二介电层及第二导电层;形成与多个第一电性接触垫一一对应的多个第一导电盲孔,并形成第一导电线路层,在第二介电层及第二导电层内形成多个第二导电盲孔,并制作形成第二导电线路层;切割相互分离的第一承载基板和第二承载基板;以及去除第一铜箔和第二铜箔,得到第一承载板和第二承载板。 | ||
搜索关键词: | 承载 制作方法 | ||
【主权项】:
一种承载板的制作方法,包括步骤:提供第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔,所述胶片具有中心区,所述第一离型膜与第二离型膜的形状及大小与所述中心区的形状及大小相互对应;依次压合第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔成为一个整体,所述胶片的中心区的两侧与第一离型膜和第二离型膜相互接触,得到多层基板,所述多层基板包括产品区及环绕产品区的废料区,所述产品区在第一铜箔表面的正投影位于所述中心区在第一铜箔表面的正投影之内;在所述第一铜箔表面电镀形成多个第一电性接触垫,在所述第二铜箔表面上电镀形成多个第二电性接触垫;在所述多个第一电性接触垫及第一铜箔表面压合第一介电层及第一导电层,在多个所述第二电性接触垫及第二铜箔表面压合第二介电层及第二导电层;在第一介电层及第一导电层内形成第一导电盲孔,并将第一导电层制作形成第三电性接触垫,在第二介电层及第二导电层内形成多个第二导电盲孔,并将第二导电层制作形成多个第四电性接触垫;沿着产品区与废料区的交界线进行切割,并使得产品区中的第一铜箔与第一离型膜自然脱离,产品区中的第二铜箔与第二离型膜自然脱离,从而得到相互分离的第一承载基板和第二承载基板;以及从第一承载基板中去除第一铜箔,得到第一承载板,从第二承载基板中去除第二铜箔,得到第二承载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造